Unos Gigas extras en memoria de almacenamiento no le caen mal a nadie, y más cuando muchas veces esta se acaba rápido por el uso del sistema y aplicaciones. La Universidad de Rice ha mostrado un material que permitirá potenciar la capacidad de los próximos smartphones.
Los investigadores de aquella institución describieron una forma de RAM resistiva (RRAM) que puede hacerse usando equipo habitual a temperatura ambiente, lo que la hace conveniente para todos los gadgets. La idea es usar óxido de silicio poroso donde metales como el oro o platino puedan llenar sus vacíos. Usando este material de silicio además de ofrecer a los fabricantes algo familiar con lo que trabajar, también requiere menos poder que otras técnicas y puede dar 100 veces de uso y no se dañaría con el calor.
El material también es más denso que tras formas de RRAM y permite almacenar nueve bits por celda, cuando en una memoria flash convencional sólo se pueden tres.
así podrían fabricarse memorias con una capacidad que podríamos esperar de otra clase de dispositivos y que podría ser de hasta 1TB.
Así los smartphones y tables podrían aprovechar esta tecnología. El investigador en jefe James Tour ha dicho que espera hablar sobre esta tecbología con fabricantes en las próximas semanas, sin embargo todavía tendremos que esperar bastante para ver algo así como norma común en el mercado.
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